20世紀50年代初期，電子學中半導體(ti) 材料崛起，觀察到半導體(ti) 的電性能與(yu) 雜質含量有關(guan) 。由於(yu) 重金屬雜質具有電活性，嚴(yan) 重降低單晶矽中載流子壽命，所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下，測定雜質含量在10-6%—10-8%或更低。半導體(ti) 材料使人們(men) 認識到痕量元素在超純材料中的重要性，從(cong) 而開辟了痕量分析的新時代。